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美国康奈尔大学,IQERFLLC和Qorvo正在研究如何更好_yabo亚博app

2020-12-27 07:08

本文摘要:(二)MOCVD和MBE是比较样品中两个再排增长层的信息表格。(d)具有条纹形状的n/I/p-n二极管的示意横截面。然后通过毯子型MOCVD或GaN未混合的分子束外延(MBE)重新生长,挖出P型GaN。

原地

美国康奈尔大学,IQERFLLC和Qorvo正在研究如何更好地激活埋地P型夹层[[WenshenLietal,Appl.Phys.Lett .vol113,p062105,p2018]]大部分GAN/(阿尔伯特爱因斯坦,Northern Exposure(美国电视电视剧),成功)这些P-Gan-Last约束允许的结构可以作为电力电子和其他应用领域的研究。埋地结构装置还包括异质双极晶体管(HBT)、家庭金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、电流孔径横向电子晶体管(CAVET)和纵向传播MOSFET(LDMOSFET)。

如图1所示,金属有机化学气相沉积(MOCVD)在块状GaN中生成外延层。最上面的p-gan层将在原地重新激活。研究人员表示,即使知道阻力(~ 4x10-5-CM2)和霍尔测量(孔密度~ 7%镁浓度,移动率24CM2/VS),最上面有P-GAN层的材料的性能也不合适。

图1: (A)在原来生长的原地激活P-N二极管结构和两个复排生长层的旋转层结构。(二)MOCVD和MBE是比较样品中两个再排增长层的信息表格。

(三)三种类型的圆形二极管的示意横截面:两个样品中准备的P-N、I/P-N和N /I/P-N二极管。(d)具有条纹形状的n /I/p-n二极管的示意横截面。

条纹长度50微米。然后通过毯子型MOCVD或GaN未混合的分子束外延(MBE)重新生长,挖出P型GaN。对于MOCVD样品,P型GaN在反应室900的氨气氛中热处理30分钟,处理为紫外线-臭氧和氢氟酸,减少MOCVD样品中硅的残留。MBE样品的情况下,挖出的P型GaN没有腐蚀。

通过MBE在两个样品中选择性地生长,最后确认N型之间的层。这种由该材料生成的埋地P-Gan结构用于展开电气测试,接触各种重叠的Pd (PD)、钛(Ti)和金(Au)。

利用蜡光刻从未混合的GaN中去除顶层,用作台面阻隔。另外,在潮湿的空气氛围中,将P型GaN在725下热处理30分钟后激活,利用台面侧壁去除内部氢气。热处理后会产生材料的金属触点。

我们发现,在埋地P型GaN未激活的情况下,未金属化的MOCVD -样品结构在偏移偏置下呈现高泄漏电流,化妆后可以诱导电流的高泄漏。


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